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固态单元mlc和tlc和3dv

来源:365bet网投娱乐 | 发布时间:2019-05-20

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MLC可以存储更多数据,降低制造成本,缩短半衰期并降低传输速率。
TLC具有较慢的传输速率并且更便宜但具有更短的寿命并且通常用于移动存储设备,例如USB闪存驱动器或存储卡。
NAND 3D闪存具有高容量,高性能,低成本和可靠性。
MLC(多层次承诺)要解释MLC,您需要提及SLC。
MLC和SLC属于两种不同类型的NANDFLASH存储器,可用作MP3播放器和移动存储盘等产品的存储介质。
SLC的官方名称是单级单元(单层单元闪存),MLC的官方名称是多级单元(多级单元闪存)。
TLC是Triple-LevelCell的缩写,是一种2位/单元MLC闪存扩展。TLC达到3位/单元,TLC使用不同的电位,浮动门存储3位信息。与MLC.0闪存相比,理论上扩展了存储密度。
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与今年的MLC闪存类似,TLC闪存在超过其P / E寿命后于今年晚些时候达到了主要阶段。
目前,主核心控制器已经开发出支持TLC闪存的主控制器,发展到第三代,有效地提高了TLCSSD的性能,并延长了TLCSSD的P / E寿命。
顾名思义,3Dv-nand和3D闪存是3D堆栈。英特尔以屋顶建筑为例介绍3D NAND。普通的NAND是一个平房。而3D NAND是一座高层建筑,建筑面积将迅速增加。从理论上讲,无线堆叠。
优点:3D NAND解决方案与此问题不同。为了增加NAND容量并降低成本,制造商不必为改进工艺技术付出太多努力,而是堆叠更多层,因此NAND 3D闪存容量,性能和可靠性有保证。